Showing 25 of 578 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2847(F)
Toshiba
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1 | 2SK2847(F) N-Channel MOSFET Transistor, 8 A, 900 V, 3-Pin TO-3PNIS Toshiba | Transistor Outline, Vertical | 2SK2847(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2843
Toshiba
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1 | z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.54 Ω (typ.)z High forward transfer admittance : |Yfs| = 9.0 S (typ.)z Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)z Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) | Transistor Outline, Vertical | 2SK2843 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2880B
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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1 | N channel junction type | Other | 2SK2880B |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2869L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2869L is a Nch Single Power Mosfet 60V 20A 45Mohm DPAK(L)-(2)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2869L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2826-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2826 is a Switching N-Channel Power Mosfet. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2826-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2881D
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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1 | N Channel junction type | Other | 2SK2881D |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2880
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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1 | resin-sealed N-channel junction field effect transistor | Other | 2SK2880 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2847
Toshiba
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1 | MOSFET 3PNIS PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | Transistor Outline, Vertical | 2SK2847 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK2,8REELP3,5WHCUS
Phoenix Contact
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1 | Terminal Block Accessory, Marking Item, Polyester | SK2,8REELP3,5WHCUS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK2,8REELP3,81WHCUS
Phoenix Contact
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1 | Terminal Block Accessory, Marking Item, Polyester | SK2,8REELP3,81WHCUS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK2,8WH:REEL
Phoenix Contact
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1 | Terminal Block Accessory, Marking Item, Polyester | SK2,8WH:REEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK2,8REELP5,08WHCUS
Phoenix Contact
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1 | Terminal Block Accessory, Marking Item, Polyester | SK2,8REELP5,08WHCUS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK2,8REELP2,54WHCUS
Phoenix Contact
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1 | Terminal Block Accessory, Marking Item, Polyester | SK2,8REELP2,54WHCUS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SC1453ISK-2.85TRT
Semtech Corporation
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1 | Fixed Positive LDO Regulator, 2.85V, 0.23V Dropout, CMOS, PDSO5 | SC1453ISK-2.85TRT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK281000CBSA
Fischer Elektronik GmbH & Co KG
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1 | Heat Sink, Extruded, Longitudinal, Anodized | SK281000CBSA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2883(2-10S2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2883(2-10S2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK28
Promax-Johnton Electronic Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AA | SK28 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2865(2-7B1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2865(2-7B1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SC1453ISK-2.85TR
Semtech Corporation
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1 | Fixed Positive LDO Regulator, 2.85V, 0.23V Dropout, CMOS, PDSO5 | SC1453ISK-2.85TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK28-T1
Won-Top Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 80V V(RRM) | SK28-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RMC1/16SK2872DTH
Kamaya Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 28700ohm, 50V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP | RMC1/16SK2872DTH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DSSK28-01AS-TRL
IXYS Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB | DSSK28-01AS-TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2857
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2857 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2802ZV-UR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2802ZV-UR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2884(TO-220FL)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2884(TO-220FL) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||