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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3461EV-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified | SOT23 (6-Pin) | SQ3461EV-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3460EV-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified | SOT23 (6-Pin) | SQ3460EV-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3469EV-T1_GE3
Vishay
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1 | • Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition• TrenchFET® Power MOSFET• AEC-Q101 Qualifiedc• 100 % Rg and UIS Tested• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | SOT23 (6-Pin) | SQ3469EV-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3469EV-T1_BE3
Vishay
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1 | P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (6-Pin) | SQ3469EV-T1_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3461CEV-T1_GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SQ3461CEV-T1_GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3465CA
Sierra Semiconductor
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1 | Telecom IC | SQ3465CA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3469CEV-T1_GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQ3469CEV-T1_GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3460CT
Sierra Semiconductor
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1 | Telecom IC | SQ3460CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3461EV-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-193AA | SQ3461EV-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3460CA
Sierra Semiconductor
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1 | Telecom IC | SQ3460CA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3461CEV-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SQ3461CEV-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ3461EV
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQ3461EV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSQ3467
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 14 Pin | NSQ3467 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSQ3467
Transistor Specialtys Inc
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1 | Transistor | TSQ3467 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSQ3467
Microchip Technology Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 14 Pin | NSQ3467 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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