Showing 25 of 493 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20
Cooper Industries
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1 | Electric Fuse, 20A, 240VAC, 33000A (IR), Inline/holder | SSD20 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20
Eaton Corporation
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1 | Electric Fuse, 20A, 240VAC, 33000A (IR), Inline/holder | SSD20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N10-130D-C
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 90V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSD20N10-130D-C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2011ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8 | SSD2011ATF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P04-60D-C
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSD20P04-60D-C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2005
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 25V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2009A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2009A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2009ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8 | SSD2009ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2013
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N10-130D
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 90V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSD20N10-130D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2025TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.3A, 60V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8 | SSD2025TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P03
Secos Corporation
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1 | Transistor | SSD20P03 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N10-250D
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | SSD20N10-250D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2007ASTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2007ASTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2025
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2025 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P06-135D-C
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | SSD20P06-135D-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2003
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2007ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2007ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N20-125D-C
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSD20N20-125D-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P03-60
Secos Corporation
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1 | Transistor | SSD20P03-60 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N15-250D-C
Secos Corporation
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1 | Transistor | SSD20N15-250D-C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2011A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2011A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2021TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2021TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2021
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2021 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N15-250D
Secos Corporation
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1 | Transistor | SSD20N15-250D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||