Showing 25 of 771 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CY14V101PS-SF108XI
Infineon
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1 | CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY14V101PS-SF108XI - NV SRAM, 1MBIT, SOIC-16 | Small Outline Packages | CY14V101PS-SF108XI |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CY14V101QS-SF108XI
Infineon
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1 | NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM | Small Outline Packages | CY14V101QS-SF108XI |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N90A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSF10N90A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N60A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSF10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N60A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSF10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N60B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSF10N60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N90A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSF10N90A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N80A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSF10N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N80A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSF10N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N80A
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.5A, 800V, 0.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PF, 3 PIN | SSF10N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1090E3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 10A, Silicon, TO-254 | SSF1090E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1009
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSF1009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF105
Goodwork Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon | SSF105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1004U
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSF1004U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N60F
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.83ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSF10N60F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1004UF
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSF1004UF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1050
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 10A, Silicon, TO-254 | SSF1050 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N60M
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSF10N60M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1007
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSF1007 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF107
Goodwork Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon | SSF107 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1016A
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSF1016A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1040
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 10A, Silicon, TO-254 | SSF1040 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1045
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 10A, Silicon, TO-254 | SSF1045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF10N60
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSF10N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSF1006H
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SSF1006H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||