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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N80AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSP6N80AJ69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N60A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N60
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N70A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 700V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N70A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N80A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N55
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 550V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N55 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N90AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSP6N90AJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N70AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 700V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSP6N70AJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N70A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 700V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N70A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N90A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N90A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N90A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N90A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N55A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 550V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N55A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSP6N80A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP6N80A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||