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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N50ATU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N50ATU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60ATU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N60ATU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60BTU-WS
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | SSU1N60BTU-WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60BTU-WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N60BTU-WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60BTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SSU1N60BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N50A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N50A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N50BTU
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 520V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SSU1N50BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N50B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 520V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SSU1N50B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N50BTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 520V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SSU1N50BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N50
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 500V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60BTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.9A, 600V, 12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | SSU1N60BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N45
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 450V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N50A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N50A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SSU1N60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N60
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU1N55
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 550V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU1N55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||