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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N60ATU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N60ATU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N80ATU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N80ATU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N80A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N60A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N60B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SSU2N60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N60A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N55
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 550V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N60BTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.8A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | SSU2N60BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N60BTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SSU2N60BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N60
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N90A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N90A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N80A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSU2N90A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSU2N90A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||