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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13N60M2
STMicroelectronics
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1 | N-channel 600 V, 350 mΩ typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a D²PAK package | Other | STB13N60M2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB130NS04ZB-1
STMicroelectronics
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1 | MOSFET Automotive-grade N-channel clamped 7 mOhm, 80 A fully protected Mesh Overlay Power MOSFET in a I2PAK package | Transistor Outline, Vertical | STB130NS04ZB-1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13NK60ZT4
STMicroelectronics
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1 | N-channel 600 V, 0.48 Ω typ., 13 A SuperMESH Power MOSFETs in D²PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages | Other | STB13NK60ZT4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB130N6F7
STMicroelectronics
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1 | N-channel 60 V, 4.2 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a D²PAK package | Other | STB130N6F7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13N80K5
STMicroelectronics
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1 | N-channel 800 V, 370 mΩ typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages | Other | STB13N80K5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13NK60Z-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB13NK60Z-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13NK60Z
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB13NK60Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13005-1-A
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-262AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | STB13005-1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13007DT4
STMicroelectronics
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1 | High voltage fast-switching NPN power transistor | STB13007DT4 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13005-1
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-262AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | STB13005-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB130NS04ZBT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 33V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB130NS04ZBT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB135N10T4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 135A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB135N10T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13.5/D6/4/M4SAKA10
Weidmüller Interface GmbH & Co. KG
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1 | Terminal Block Accessory | STB13.5/D6/4/M4SAKA10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13NM60N
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB13NM60N |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13NM50N
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB13NM50N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB130NH02L
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB130NH02L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB135N10
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 135A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB135N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13005-1-B
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-262AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | STB13005-1-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB130NH02LT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 24V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB130NH02LT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB13NM50N-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB13NM50N-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB130NS04ZB
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | STB130NS04ZB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB130NS04ZBT4TRL
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 33V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB130NS04ZBT4TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKL2BDSTB132J
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 1300ohm, 100V, 5% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 3210, | RKL2BDSTB132J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKC5DLSTB131J
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 130ohm, 200V, 5% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 7210, | RKC5DLSTB131J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKL4BLSTB133J
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 13000ohm, 100V, 5% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 5010, | RKL4BLSTB133J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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