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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD23N06-31-GE3
Vishay
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1 | Vishay SUD23N06-31-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 23 A, 60 V, 3-Pin TO-252 | Other | SUD23N06-31-GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD23N06-31L
Vishay
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1 | N-Channel 60 V (D-S), 175 °C MOSFET, Logic Level | Other | SUD23N06-31L |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD23N06-31L-T4-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD23N06-31
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.4A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD23N06-31 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD23N06-31-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD23N06-31-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD23N06-31L-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD23N06-31L-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD23N06-31L-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD23N06-31L-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD23N06-31
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.4A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD23N06-31 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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