Showing 25 of 35 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD10PF06
STMicroelectronics
|
1 | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | Other | STD10PF06 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
STD10P6F6
STMicroelectronics
|
1 | P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages | Other | STD10P6F6 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
STD10PF06-1
STMicroelectronics
|
1 | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Transistor Outline, Vertical | STD10PF06-1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
STD10P10F6
STMicroelectronics
|
1 | P-channel -100 V, 0.36 Ω typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package | Other | STD10P10F6 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TD10PS100L
Galaxy Microelectronics
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277B | TD10PS100L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TD10PS60L
Galaxy Microelectronics
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-277B | TD10PS60L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IXTD10P50
Littelfuse Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-2 | IXTD10P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL160TD-10PFTR
FUJITSU Limited
|
1 | Flash, 2MX8, 100ns, PDSO48 | MBM29SL160TD-10PFTR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PBT
Spansion
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48 | MBM29SL800TD-10PBT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PBT-E1
Spansion
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48 | MBM29SL800TD-10PBT-E1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IXTD10P60-7B
Littelfuse Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXTD10P60-7B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
C-IXTD10P50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD10P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PW
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48 | MBM29SL800TD-10PW |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
PD30CTD10PASA
Carlo Gavazzi Holding AG
|
1 | Diffuse Photoelectric Sensor | PD30CTD10PASA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
T-IXTD10P50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | T-IXTD10P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD10P50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD10P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IXTD10P60-7B
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXTD10P60-7B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL160TD-10PFTN
FUJITSU Limited
|
1 | Flash, 2MX8, 100ns, PDSO48 | MBM29SL160TD-10PFTN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PFTR
Spansion
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48 | MBM29SL800TD-10PFTR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PW-E1
Spansion
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48 | MBM29SL800TD-10PW-E1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PFTN-E1
Spansion
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48 | MBM29SL800TD-10PFTN-E1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PFTN
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48 | MBM29SL800TD-10PFTN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IXTD10P50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXTD10P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PFTN
FUJITSU Limited
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48 | MBM29SL800TD-10PFTN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MBM29SL800TD-10PFTR
FUJITSU Semiconductor Limited
|
1 | Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48 | MBM29SL800TD-10PFTR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||