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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1918TE-T1-AT
Renesas Electronics
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1 | Support is limited to customers who have already adopted these products.The µPA1918 is a switching device, which can be driven directly by a 4. 0 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. | SOT23 (6-Pin) | UPA1918TE-T1-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1913TE-T1-AT
Renesas Electronics
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1 | Support is limited to customers who have already adopted these products.The µPA1913 is a switching device which can be driven directly by a 2. 5-V power source. The µPA1913 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. | Small Outline Packages | UPA1913TE-T1-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TET1A221M
Taicon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 220uF | TET1A221M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TET1A330M
Taicon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 33uF | TET1A330M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TET1A101M
Taicon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 100uF | TET1A101M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TET1A102M
Taicon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1000uF | TET1A102M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TET1A471M
Taicon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 470uF | TET1A471M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TET1A220M
Taicon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF | TET1A220M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TET1A470M
Taicon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF | TET1A470M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TET1A331M
Taicon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 330uF | TET1A331M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1915TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1915TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1910TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1910TE-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1919TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1919TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1981TE-T1-A
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, MINIMOLD, SC-95, 3 PIN | UPA1981TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1952TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1952TE-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1913TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1913TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1970TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1970TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1951TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1951TE-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA507TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA507TE-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1980TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1980TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1930TE-T1-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1930TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1970TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1970TE-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1930TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1930TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1917TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1917TE-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1911ATE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1911ATE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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