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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLHAA02-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 120ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLHAA02-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH2202DF2
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH2202DF2 |
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TGBLH6602-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH6602-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH4404-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH4404-3DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH6601-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH6601-3DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH2201DF2
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TGBLH2201DF2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH4402-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TGBLH4402-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH4402-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH4402-3DL8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH4405-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | TGBLH4405-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH3301-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH3301-3DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH3303-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TGBLH3303-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH3302-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | TGBLH3302-S8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH6603-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH6603-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH4408-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH4408-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH3301-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH3301-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH3301-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH3301-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH3302-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH3302-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH6601-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH6601-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH3302-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.013ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH3302-3DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLH4402-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLH4402-5DL8 |
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