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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN4406-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.005ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN5X6-8LC, 8 PIN | TGBLN4406-5DL8 |
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TGBLN3302-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | TGBLN3302-S8 |
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TGBLN3301-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | TGBLN3301-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN4405-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN4405-3DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN6604-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | TGBLN6604-5DL8 |
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TGBLN6606-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN6606-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLNAA03-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor | TGBLNAA03-5DL8 |
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TGBLN6603-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN6603-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN2201DF2
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | TGBLN2201DF2 |
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TGBLN6605-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 60V, 0.007ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN6605-5DL8 |
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TGBLN4405-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN4405-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN3305-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN3305-S8 |
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TGBLN4402-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN4402-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN6601-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN6601-5DL8 |
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TGBLN6601-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN6601-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN3301-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.013ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN3301-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLNAA01-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLNAA01-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN3303-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN3303-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN4405-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 40V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN4405-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN6603-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 60V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN6603-5DL8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN4403-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN4403-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN3301-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.013ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN3301-3DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLNAA02DF2
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLNAA02DF2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGBLN3303-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN3303-3DL8 |
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TGBLN4402-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 40V, 0.012ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TGBLN4402-3DL8 |
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