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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-8L
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | TIM7785-8L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-30L
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | TIM7785-30L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-7L
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | TIM7785-7L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-16EL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-16EL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-4SL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-4SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-30UL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-30UL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-45SL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-45SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-16UL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-16UL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-35SL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-35SL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-8
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | TIM7785-8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-25UL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-25UL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-15UL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | TIM7785-15UL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-8UL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-8UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-60SL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | TIM7785-60SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-8SL-031
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | TIM7785-8SL-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-8SL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-8SL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-6UL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-6UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-16SL-031
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | TIM7785-16SL-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-4
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | TIM7785-4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-16
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | TIM7785-16 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-12UL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-12UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-30SL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-30SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-4UL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-4UL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-16SL
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-16SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-60ULA
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TIM7785-60ULA |
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