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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK290A60Y
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 600 V, 0.29 Ω@10V, TO-220SIS, DTMOSⅤ | Other | TK290A60Y |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK290P60Y
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 600 V, 0.29 Ω@10V, DPAK, DTMOSⅤ | Other | TK290P60Y |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK290P65Y
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 650 V, 0.29 Ω@10V, DPAK, DTMOSⅤ | Other | TK290P65Y |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK290A65Y
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 650 V, 0.29 Ω@10V, TO-220SIS, DTMOSⅤ | Other | TK290A65Y |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK290P60Y,RQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK290P60Y,RQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK290P65Y,RQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 650V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK290P65Y,RQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK290A60Y,S4X
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | TK290A60Y,S4X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK290A65Y,S4X
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 650V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | TK290A65Y,S4X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK2907ATTD03
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | TK2907ATTD03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JMTK290N06A
Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd
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1 | 60V, 30A, 28mΩ N-channel Power Trench MOSFET in TO-252-3L package with low gate charge, 100% UIS tested, suitable for load switch, PWM, and power management applications. | JMTK290N06A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||