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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S06K3L
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 60 V, 60 A, 0.008 Ω@10V, DPAK+ | Other | TK60S06K3L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S10N1L,LXHQ
Toshiba
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1 | MOSFET PD=180W F=1MHZ AEC-Q101 | Other | TK60S10N1L,LXHQ |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S10N1L
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 100 V, 60 A, 0.00611 Ω@10V, DPAK+ | Other | TK60S10N1L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1NQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | TK60S06K3L(T6L1NQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S06K3L,LXHQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK60S06K3L,LXHQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba
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1 | MOSFETs N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 | TK60S06K3L(T6L1,NQ |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S06K3L(TE16L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TK60S06K3L(TE16L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S06K3L(TE16L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TK60S06K3L(TE16L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S10N1L,LQ(O
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.00925ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK60S10N1L,LQ(O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK60S10N1L,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.00925ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK60S10N1L,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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