Showing 25 of 62 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8228-H,LQ
Toshiba
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1 | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8 MOQ=2500 PD=1.5W F=1MHZ | Small Outline Packages | TPC8228-H,LQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8207
Toshiba
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1 | Silicon N Channel MOS Type | Small Outline Packages | TPC8207 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8227-H,LQ
Toshiba
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1 | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8 PD=1.5W F=1MHZ | Small Outline Packages | TPC8227-H,LQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8213-H
America Electronic Components
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1 | Mosfet Array 60V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | Small Outline Packages | TPC8213-H |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8227-H,LQ(S
Toshiba
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1 | Toshiba TPC8227-H,LQ(S Dual N-channel MOSFET Transistor, 5.1 A, 40 V, 8-Pin SOP | Small Outline Packages | TPC8227-H,LQ(S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8212-H (TE12LQ,M)
Toshiba
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1 | MOSFET | Small Outline Packages | TPC8212-H (TE12LQ,M) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8227-HLQ(S
Toshiba
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1 | MOSFET | Small Outline Packages | TPC8227-HLQ(S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8204
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8204 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8208(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8208(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8227-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8227-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8228-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8228-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8212-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8212-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8204(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8204(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8213-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.056ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8213-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8214-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8214-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8228-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8228-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC82B18
STMicroelectronics
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1 | RVS Blocking BOD, 99V V(BO) Max, TO-220AB | TPC82B18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8211
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8227-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8227-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8223-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8223-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8210
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8224-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8224-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC82A12
STMicroelectronics
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1 | RVS Blocking BOD, 109V V(BO) Max, TO-220AB | TPC82A12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8227-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8227-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8207(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8207(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||