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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8402(TE85L,F,M
Toshiba
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1 | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A 8-Pin VS T/R | SO Transistor Flat Lead | TPCF8402(TE85L,F,M |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8101
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8306(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 0.12ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8306(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8305
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8305 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8304(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8304(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8107
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8107 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8306(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 0.12ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8306(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8103
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8103 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8304(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8304(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8104
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8104 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8105(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8105(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8402
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8402 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8104(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPCF8104(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8B01(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8B01(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8302(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8302(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8302
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8004(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8004(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8304
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8304 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8303(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8303(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8002(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8002(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8402(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8402(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8103(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8103(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8108
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8108 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8B01
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8B01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8105
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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