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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R906NH
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 60 V, 0.0059 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH5R906NH |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R906NH(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH5R906NH(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R60APL,L1Q(M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH5R60APL,L1Q(M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R60APL,L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH5R60APL,L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R60APL
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 100 V, 0.0056 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H | TPH5R60APL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R906NH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH5R906NH(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R906NH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH5R906NH(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R906NH,L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | TPH5R906NH,L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH5R906NH(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH5R906NH(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTPH5R6M25B2TF
NIC Components Corp
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1 | Tantalum Capacitor, Tantalum (solid Polymer) | NTPH5R6M25B2TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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