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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN6607-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN6607-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN4406-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.005ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN4406-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN3301-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 0.013ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN3301-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN6605-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 60V, 0.007ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN6605-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN4404-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 40V, 0.015ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN4404-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN4402-3DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 40V, 0.012ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN4402-3DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN4404-S8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.015ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN4404-S8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN4407-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 40V, 0.0065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN4407-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN4408-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | TQGBLN4408-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN4401-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 40V, 0.0125ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN4401-5DL8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQGBLN6604-5DL8
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TQGBLN6604-5DL8 |
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