Showing 24 of 24 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UF3C065030K4S
onsemi
|
1 | N-Channel 650 V 85A (Tc) 441W (Tc) Through Hole TO-247-4 | Other | UF3C065030K4S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030K3S
onsemi
|
1 | w Typical on-resistance RDS(on),typ of 27mWw Maximum operating temperature of 175°Cw Excellent reverse recoveryw Low gate chargew Low intrinsic capacitancew ESD protected, HBM class 2w Very low switching losses (required RC-snubber loss negligible. under typical operating conditions) | Transistor Outline, Vertical | UF3C065030K3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065080K3S
onsemi
|
1 | 650V-80mΩ SiC FET | Transistor Outline, Vertical | UF3C065080K3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065040K4S
onsemi
|
1 | N-Channel 650 V 54A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-247-4 | Other | UF3C065040K4S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065080B7S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UF3C065080B7S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065080B3
onsemi
|
1 | N-Channel 650 V 25A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) | Other | UF3C065080B3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065080T3S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UF3C065080T3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065040T3S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UF3C065040T3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065040K3S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UF3C065040K3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065040B3
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UF3C065040B3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030T3S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UF3C065030T3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065080K4S
onsemi
|
1 | N-Channel 650 V 31A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-4 | Other | UF3C065080K4S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030B3
onsemi
|
1 | N-Channel 650 V 65A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) | Other | UF3C065030B3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065040K3SSR
Qorvo
|
1 | 650 V, 42 mohm SiC FET | Transistor Outline, Vertical | UF3C065040K3SSR |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065080B7S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | UF3C065080B7S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065040B3
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 650V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET | UF3C065040B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030B3
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET | UF3C065030B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030T3S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-220AB | UF3C065030T3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065040B3
UnitedSiC
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 650V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET | UF3C065040B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030K4S
UnitedSiC
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-247 | UF3C065030K4S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030K3S
UnitedSiC
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UF3C065030K3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030K3S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UF3C065030K3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065030K4S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-247 | UF3C065030K4S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF3C065080B3
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET | UF3C065080B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||