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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120080B7S
onsemi
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1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UF3C120080B7S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120150B7S
onsemi
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1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UF3C120150B7S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120400B7S
onsemi
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1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UF3C120400B7S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C170400K3S
onsemi
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1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UF3C170400K3S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120040K4S
onsemi
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1 | N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4 | Other | UF3C120040K4S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120080K4S
onsemi
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1 | N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-4 | Other | UF3C120080K4S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120150K4S
onsemi
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1 | N-Channel 1200 V 18.4A (Tc) 166.7W (Tc) Through Hole TO-247-4 | Other | UF3C120150K4S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120040K3S
onsemi
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1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UF3C120040K3S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120400K3S
onsemi
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1 | 1200V-410mΩ SiC FET | Transistor Outline, Vertical | UF3C120400K3S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C170400B7S
onsemi
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1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UF3C170400B7S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120080K3S
onsemi
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1 | MOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | Transistor Outline, Vertical | UF3C120080K3S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120080K3SSR
Qorvo
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1 | 1200 V, 80 mohm SiC FET | Transistor Outline, Vertical | UF3C120080K3SSR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120150B7S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | UF3C120150B7S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120080K4S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | UF3C120080K4S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120040K4S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UF3C120040K4S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C170400B7S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, | UF3C170400B7S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120150K4S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.4A I(D), 1200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UF3C120150K4S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120080K3S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UF3C120080K3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120400K3S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 1200V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | UF3C120400K3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120040K3S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | UF3C120040K3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C170400K3S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 1700V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UF3C170400K3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C170400K3S
UnitedSiC
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 1700V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UF3C170400K3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120400B7S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 1200V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET | UF3C120400B7S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C120080B7S
Qorvo
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28.8A I(D), 1200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET | UF3C120080B7S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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