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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KG-TA-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KG-TA-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KL-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KL-MT-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KL-TA-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KL-TA-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF730G-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KG-TA-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF730KG-TA-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF730L-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KG-TC-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KG-TC-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KG-TC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KG-TC-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KL-TA-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UF730KL-TA-TM3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UF730G-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KG-TA-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UF730KG-TA-TM3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KL-TC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF730KL-TC-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KG-TC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF730KG-TC-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730G-E-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730G-E-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF730L-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KG-TA-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KG-TA-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF730G-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730L-E-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730L-E-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KL-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KL-TC-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KL-TC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KL-TC-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KL-TC-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KL-TC-TF2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KG-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF730KG-MT-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730KL-TC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UF730KL-TC-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF730-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UF730-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||