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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AC | UF840 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | High-Efficiency Recovery Rectifier, Case Style : TO-220AC; IAV (A) : 8; VRRM (V) : 400; IFSM (A) : 125; VF (V) : 1.3; @IAV (A): 8; IR (µA) TA=25ºC: 10; TRR (nS): 50 | UF840 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AC | UF840 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NUF8402MNT4G
onsemi
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1 | RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 8 Channel R = 100Ohms, C = 17pF 16-VFDFN Exposed Pad, 105MHz, -40°C ~ 85°C | Other | NUF8402MNT4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840KL-MTQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.87ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF840KL-MTQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF840L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UF840L-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UF840-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840L-C-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.81ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UF840L-C-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840KL-MTQ-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.87ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UF840KL-MTQ-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840G-C-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.81ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF840G-C-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840G-C-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.81ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF840G-C-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UF840L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840KG-MTQ-TA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.87ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF840KG-MTQ-TA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840KL-MTQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.87ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF840KL-MTQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF840L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840G-CB-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UF840G-CB-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840KG-MTQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.87ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UF840KG-MTQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840L-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UF840L-TF3T-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UF840-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840L-C-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.81ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF840L-C-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840KG-MTQ-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.87ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UF840KG-MTQ-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF840-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UF840G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF840L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UF840L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||