Showing 17 of 17 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UJ3C065080K3S
onsemi
|
1 | Typical on-resistance RDS(on),typ of 80mWw Maximum operating temperature of 175°Cw Excellent reverse recoveryw Low gate chargew Low intrinsic capacitancew ESD protected, HBM class 2 | Transistor Outline, Vertical | UJ3C065080K3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030K3S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UJ3C065030K3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030T3S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UJ3C065030T3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UJ3C065030B3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080B3
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UJ3C065080B3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080T3S
onsemi
|
1 | Maximum operating temperature: 175 ?C; On-resistance RDS(on); Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UJ3C065080T3S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080B3SQ
Qorvo
|
1 | 650 V, 80 mohm SiC FET .TO263 (D2PAK)-3L | Other | UJ3C065080B3SQ |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030T3SSB
Qorvo
|
1 | 650 V, 27 mohm SiC FETTO-220-3l | Transistor Outline, Vertical | UJ3C065030T3SSB |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080T3SSR
Qorvo
|
1 | Typical on-resistance RDS(on),typ of 80mWw Maximum operating temperature of 175°Cw Excellent reverse recoveryw Low gate chargew Low intrinsic capacitancePart Number MarkingUJ3C065080T3S UJ3C065080T3Sw ESD protected, HBM class 2 | Transistor Outline, Vertical | UJ3C065080T3SSR |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080K3SSR
Qorvo
|
1 | 650 V, 80 mohm SiC FET | Transistor Outline, Vertical | UJ3C065080K3SSR |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030T3S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-220AB | UJ3C065030T3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080T3S
UnitedSiC
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 650V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-220AB | UJ3C065080T3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080K3S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 650V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UJ3C065080K3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030K3S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247 | UJ3C065030K3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080T3S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 650V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-220AB | UJ3C065080T3S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065080B3
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | UJ3C065080B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 650V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | UJ3C065030B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||