UPA19 Model Download Search Results
Showing 25 of 384 results
Price & Stock Powered by 
Findchips
Findchips
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UPA1918TE-T1-AT
Renesas Electronics
|
1 | Support is limited to customers who have already adopted these products.The µPA1918 is a switching device, which can be driven directly by a 4. 0 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. | SOT23 (6-Pin) | UPA1918TE-T1-AT |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1913TE-T1-AT
Renesas Electronics
|
1 | Support is limited to customers who have already adopted these products.The µPA1913 is a switching device which can be driven directly by a 2. 5-V power source. The µPA1913 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. | Small Outline Packages | UPA1913TE-T1-AT |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1914TE-T2-AT
Renesas Electronics
|
1 | MOSFET | Small Outline Packages | UPA1914TE-T2-AT |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1918TE(0)-T1-AT
Renesas Electronics
|
1 | Support is limited to customers who have already adopted these products.The µPA1918 is a switching device, which can be driven directly by a 4. 0 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. | SOT23 (6-Pin) | UPA1918TE(0)-T1-AT |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1981TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1981TE-T1-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1917TE-T1
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1917TE-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1910TE-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1910TE-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1950TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1950TE-T1-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1901TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1901TE-T1-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1901TE-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1901TE-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1914TE-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1914TE-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1900TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1900TE-T1-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1916TE-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1916TE-T2-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1911TE-A
NEC Electronics Group
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1911TE-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1916TE
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1916TE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1951TE-T2
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1951TE-T2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1914TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1914TE-T1-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1931TE(0)-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1931TE(0)-T1-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1952TE-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.284ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1952TE-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1901TE-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1901TE-T2-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1919TE-T2-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1919TE-T2-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1932TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1932TE-T1-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1951TE-T2-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1951TE-T2-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1951TE-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1951TE-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UPA1913TE
NEC Electronics Group
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1913TE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/2201313.2.1.png",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/UPA1913TE-T1-AT.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/UPA1914TE-T2-AT.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/2201311.2.1.png",null,null])
![Part Image]([null,null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/icon_xtsr.png"]){kind=icon}
Can't find what you're looking for?
Request this part