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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2591T1H-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.07ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2591T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2561T1H-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2561T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2590T1H-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.083ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2590T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2503TM
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0151ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2503TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2560T1H-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2560T1H-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2590T1H-T2-AT
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.083ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2590T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2520T1H-T1-AT
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2520T1H-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2521T1H-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2521T1H-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2562T1H-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.07ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2562T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2503TM-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 15.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2503TM-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2503TM
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0151ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2503TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2502TM-E2-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2502TM-E2-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2502TM
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2502TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2560T1H-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2560T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2502TM-E1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2502TM-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2510TM
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2510TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2550T1H-T2-AT
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.093ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2550T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2521T1H-T2-AT
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2521T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2502TM
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2502TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2502TM-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2502TM-E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2510TM-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2510TM-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2590T1H-T1-AT
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.083ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2590T1H-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2591T1H-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.07ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2591T1H-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2593T1H-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 40V, 0.103ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2593T1H-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2592T1H-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | UPA2592T1H-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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