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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2816T1S-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Other | UPA2816T1S-E2-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2825T1S-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | The UPA2825T1S is a Nch Single Power Mosfet 30V 24A 4.6Mohm HWSON-8. | Other | UPA2825T1S-E2-AT |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2814T1S-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Other | UPA2814T1S-E2-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2812T1L-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Other | UPA2812T1L-E2-AT |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2820T1S-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | The UPA2820T1S is a Nch Single Power Mosfet 30V 22A 5.3Mohm HWSON-8. | Other | UPA2820T1S-E2-AT |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2822T1L-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Other | UPA2822T1L-E2-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2826T1S-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Other | UPA2826T1S-E2-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2813T1L-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Other | UPA2813T1L-E2-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2821T1L-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | The UPA2821T1L is a Nch Single Power Mosfet 30V 26A 3.8Mohm 8Pin HVSON (3333). | Other | UPA2821T1L-E2-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2822T1L-E1-AT
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Other | UPA2822T1L-E1-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2804T1L-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2804T1L-E1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2800T1L-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2800T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2802T1L-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 20V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2802T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2800T1L-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2800T1L-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2815T1S-E2-AT
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | UPA2815T1S-E2-AT |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2802T1L-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 20V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2802T1L-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2801T1L-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2801T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2801T1L-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2801T1L-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2810T1L-E2-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2810T1L-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2803T1L-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2803T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2803T1L-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2803T1L-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2811T1L-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2811T1L-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2801T1L-E2-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2801T1L-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2804T1L-E2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2804T1L-E2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2800T1L-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2800T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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