Showing 25 of 130 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
US2GB
SUNMATE electronic Co., LTD
|
1 | Surface mount ultra-fast rectifier diode in SMB (DO-214AA) package, 50 to 1000V reverse voltage, 2.0A average rectified current, low forward voltage drop, glass passivated die, operating temperature -50 to +150°C.Surface mount ultra-fast rectifier diode in SMB (DO-214AA) package, 50 to 1000V blocking voltage, 2.0A average rectified current, low forward voltage drop, glass passivated die, operating temperature -50 to +150°C. | US2GB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
US2GBFL-TP
MCC
|
1 | Super Fast Recovery Rectifiers | Small Outline Diode Flat Lead | US2GBFL-TP |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
US2GB-HF
Comchip Technology
|
1 | RECTIFIER ULTRA FAST RECOVERY 400V 2A SMB | Diodes Moulded | US2GB-HF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
US2GBF
Galaxy Microelectronics
|
1 | Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 400V; IAV MAX (A): 2A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 2A; IFSM MAX (A): 50A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 400V; TRR MAX (NS): 50ns; Package: SMBF | US2GBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
US2GBG
Shikues Semiconductor
|
1 | Surface mount ultrafast recovery rectifier, 50-1000V, 2A, RoHS compliant, low profile, glass passivated. | US2GBG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
US2GBF
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
|
1 | Surface mount ultrafast recovery rectifier with 2.0 A average forward current, reverse voltage range of 50 V to 1000 V, low profile SMBF package, glass passivated junction, and reverse recovery time up to 50 ns. | US2GBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
US2GBF (UF2GBF)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
|
1 | Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, forward current up to 2.0 A, and reverse recovery time as low as 50 ns. | US2GBF (UF2GBF) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
US2GBF
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, | US2GBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB9F18-3.200
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.2MHz Nom | HC49US2-GB9F18-3.200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB9F18-5.990
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.99MHz Nom | HC49US2-GB9F18-5.990 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB0F18-5.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Nom | HC49US2-GB0F18-5.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
US2GF/US2GBF
Microdiode Semiconductor (MDD)
|
1 | Ultra fast rectifier, 50-1000V, 2.0A, UL 94V-0, high efficiency, low leakage, surge current, 250°C/10s, SMAF, 0.027g. | US2GF/US2GBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB3318-100.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Nom | HC49US2-GB3318-100.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB0F18-8.900
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8.9MHz Nom | HC49US2-GB0F18-8.900 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB0318-100.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Nom | HC49US2-GB0318-100.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB1F18-3.500
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.5MHz Nom | HC49US2-GB1F18-3.500 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB1F18-8.900
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8.9MHz Nom | HC49US2-GB1F18-8.900 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB3F18-7.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7MHz Nom | HC49US2-GB3F18-7.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB2F18-4.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4MHz Nom | HC49US2-GB2F18-4.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB5F18-9.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | HC49US2-GB5F18-9.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB2F18-7.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7MHz Nom | HC49US2-GB2F18-7.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB5F18-3.990
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.99MHz Nom | HC49US2-GB5F18-3.990 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB5318-27.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 27MHz Nom | HC49US2-GB5318-27.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB9F18-5.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Nom | HC49US2-GB9F18-5.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HC49US2-GB0F18-7.000
ILSI America LLC
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7MHz Nom | HC49US2-GB0F18-7.000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||