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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GB
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount ultra-fast rectifier diode in SMB (DO-214AA) package, 3.0A average forward current, 50 to 1000V repetitive peak reverse voltage, low forward voltage drop, glass passivated, with fast recovery time and solderable terminals. | US3GB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GB
Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd
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1 | Ultrafast recovery rectifier in surface mount DO-214AA package with 3.0A average forward current, reverse voltage ratings from 50V to 1000V, and recovery time of 50 to 75ns, lead-free and rated for junction temperatures up to 150°C. | US3GB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GB
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon | US3GB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GB
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | High-Efficiency Recovery Rectifier, Case Style : SMB; IAV (A) : 3; VRRM (V) : 400; IFSM (A) : 100; VF (V) : 1.4; @IAV (A): 3; IR (µA) TA=25ºC: 10; TRR (nS): 50 | US3GB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GB
Galaxy Microelectronics
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon | US3GB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GBFL-TP
MCC
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1 | Super Fast Recovery Rectifiers | Small Outline Diode Flat Lead | US3GBFL-TP |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GBF (UF3GBF)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, average forward current up to 3 A, and low forward voltage drop.Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with maximum repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, forward current up to 3 A, and reverse recovery time as low as 50 ns.Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, average forward current up to 3 A, and low forward voltage drop.Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, average forward current up to 3 A, and low forward voltage drop. | US3GBF (UF3GBF) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GB/US3GC
Microdiode Semiconductor (MDD)
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1 | Surface mount rectifier, 50-1000V, 3.0A, fast switching, low leakage, high surge current, 250°C/10s, DO-214AA/SMB, 0.095g. | US3GB/US3GC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GBF
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount ultra-fast rectifier diode in SMBF case, 3.0A average forward current, 50-1000V repetitive peak reverse voltage, low forward voltage drop, glass passivated die, operating junction temperature -65 to +150C. | US3GBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GB-HF
Comchip Technology Corporation Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA | US3GB-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GBF
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, | US3GBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3GBF
Galaxy Microelectronics
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon | US3GBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB0F18-36.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 36MHz Nom | HC49US3-GB0F18-36.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB0318-27.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 27MHz Nom | HC49US3-GB0318-27.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB3F18-5.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Nom | HC49US3-GB3F18-5.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB0F18-8.900
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8.9MHz Nom | HC49US3-GB0F18-8.900 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB1318-27.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 27MHz Nom | HC49US3-GB1318-27.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB3F18-6.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6MHz Nom | HC49US3-GB3F18-6.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB2F18-6.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6MHz Nom | HC49US3-GB2F18-6.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB1F18-4.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4MHz Nom | HC49US3-GB1F18-4.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB0F18-3.500
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.5MHz Nom | HC49US3-GB0F18-3.500 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB1F18-20.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom | HC49US3-GB1F18-20.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB1F18-19.900
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.9MHz Nom | HC49US3-GB1F18-19.900 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB1F18-5.990
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.99MHz Nom | HC49US3-GB1F18-5.990 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-GB9F18-6.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6MHz Nom | HC49US3-GB9F18-6.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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