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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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160USG1000MEFCSN22X40
Rubycon
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Snap In GENERAL PURPOSE ELECTROLYTIC CAPACITORS | Capacitor, Polarized Radial Diameter | 160USG1000MEFCSN22X40 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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80USG10000MEFCSN35X50
Rubycon
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Snap In GENERAL PURPOSE ELECTROLYTIC CAPACITORS | Capacitor, Polarized Radial Diameter | 80USG10000MEFCSN35X50 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250USG1000MEFCSN35X30
Rubycon
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1 | 1000 µF 250 V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | Capacitor, Polarized Radial Diameter | 250USG1000MEFCSN35X30 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HL-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-263AB | USG10R044HL-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R060HG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R060HG-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R060HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R060HL-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HG-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R044HG-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HL-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-252 | USG10R044HL-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HG-P5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET | USG10R044HG-P5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R060HG-P5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | USG10R060HG-P5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10FR-41S01HA3
Winpin Electronics Technology Co Ltd
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1 | USB Connector, 9 Contact(s), Female and Female, Right Angle, Solder Terminal | USG10FR-41S01HA3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HG-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-263AB | USG10R044HG-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HL-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R044HL-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R044HL-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R088MG-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R088MG-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R088ML-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R088ML-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HG-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-263AB | USG10R044HG-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R088ML-P5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | USG10R088ML-P5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R088MG-P5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | USG10R088MG-P5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HL-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R044HL-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R060HL-P5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | USG10R060HL-P5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HL-P5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET | USG10R044HL-P5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-220AB | USG10R044HG-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HL-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | RJ Connector, 8 Contact(s), Female, Crimp and Solder Terminal, Locking, Plug | USG10R044HL-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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USG10R044HG-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-252 | USG10R044HG-TN3-R |
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