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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2316L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2316L-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2312L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2312L-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2312G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | UT2312G-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2316G-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2316G-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2311L-F-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | UT2311L-F-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2316G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2316G-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2312HL-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2312HL-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2312L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UT2312L-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2315G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2315G-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2312G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2312G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2315L-H-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2315L-H-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2316-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2316-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2311G-F-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | UT2311G-F-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2311G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2311G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2316L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2316L-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2311G-K06B-2020-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT2311G-K06B-2020-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2315G-H-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2315G-H-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2312L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | UT2312L-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2316G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2316G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2315L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2315L-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2311L-K06B-2020-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT2311L-K06B-2020-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2316L-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2316L-AA3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2311L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2311L-AE3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2312G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UT2312G-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2312-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UT2312-AE3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||