Showing 25 of 59 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UT3418G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3418G-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3413-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | UT3413-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3419L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3419L-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3416G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3416G-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3413G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.097ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT3413G-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3414G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3414G-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3416L-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3416L-AG6-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3413L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.097ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3413L-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3416L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | UT3416L-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3415L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3415L-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3418G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3418G-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3416L-H-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT3416L-H-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3418L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3418L-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3416BL-K06B-2020-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3416BL-K06B-2020-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3415G-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3415G-AG6-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3419L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3419L-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3419G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3419G-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3414G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | UT3414G-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3415L-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3415L-AG6-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3416BG-K06B-2020-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3416BG-K06B-2020-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3413L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.097ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT3413L-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3415G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3415G-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3419G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT3419G-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3414L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | UT3414L-AE2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT3416L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3416L-AE3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||