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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N01ZG-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT3N01ZG-AE2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UT3N06L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UT3N06G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT3N06G-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT3N06L-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N01ZG-AN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3N01ZG-AN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3N06G-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N01ZL-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT3N01ZL-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT3N06G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N01ZG-AL6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3N01ZG-AL6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06G-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3N06G-AB3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UT3N06L-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N01ZL-AN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3N01ZL-AN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N01ZL-AL3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3N01ZL-AL3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N01ZG-AL3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3N01ZG-AL3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3N06G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N01ZL-AL6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3N01ZL-AL6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UT3N06G-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06G-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3N06G-AA3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06L-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT3N06L-AA3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT3N06L-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3N06L-AE2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT3N06L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT3N06L-AE3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||