Showing 25 of 30 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401L-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6402-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT6402-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401G-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401G-AG6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6405
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 9A, Silicon | UT6405 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6402L-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6402L-AG6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6405HR2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 9A, Silicon | UT6405HR2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6402G-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6402G-AG6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6402-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT6402-AG6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401G-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401G-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6402L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6402L-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401L-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401L-AG6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401G-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6402G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6402G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401L-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401L-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401L-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6405
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 9A, Silicon | UT6405 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT6401-AG6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT6401-AG6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT-64.02OHMS0.01%
Riedon
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 4.02ohm, 504V, 0.01% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-64.02OHMS0.01% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT-640.2KOHMS0.01%
Riedon
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 40200ohm, 504V, 0.01% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-640.2KOHMS0.01% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT-64.02OHMS0.5%
Vishay Precision Group Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 4.02ohm, 504V, 0.5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-64.02OHMS0.5% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT-64.02OHMS1%
Riedon
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 4.02ohm, 504V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-64.02OHMS1% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT-64.02KOHMS1%
Riedon
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 4020ohm, 504V, 1% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-64.02KOHMS1% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT-6407OHMS0.01%
Riedon
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 407ohm, 504V, 0.01% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-6407OHMS0.01% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT-6402OHMS0.01%
Riedon
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 402ohm, 504V, 0.01% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-6402OHMS0.01% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||