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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTM6006G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTM6006G-K08-5060-R |
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UTM6006L-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTM6006L-K08-5060-R |
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UTM6016G
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 60-V MOSFET in DSO-8 package, with 0.012 ohm RDS(on) at 10 V VGS, 10.5 nC gate charge, and 25 A continuous drain current capability, suitable for low-side synchronous rectifier applications. | UTM6016G |
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UTM6006G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTM6006G-S08-R |
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UTM6006L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTM6006L-S08-R |
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UTM6016G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTM6016G-TN3-R |
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UTM6016G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTM6016G-S08-R |
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UTM6016L-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTM6016L-K08-5060-R |
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UTM6016G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTM6016G-K08-5060-R |
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UTM6016G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTM6016G-TA3-T |
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UTM6016L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTM6016L-TN3-R |
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UTM6016L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTM6016L-S08-R |
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UTM6016L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTM6016L-TA3-T |
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