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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N08G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT100N08G-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT108N03G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Transistor | UTT108N03G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N75HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT100N75HL-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N08L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT100N08L-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10NP06G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.064ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT10NP06G-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10N10G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT10N10G-K08-5060-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10NN03G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT10NN03G-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10N10L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB | UTT10N10L-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N05L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT100N05L-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N75HG-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT100N75HG-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10NP06L-TN4-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT10NP06L-TN4-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10N10L-K08-3030-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT10N10L-K08-3030-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N08MG-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT100N08MG-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N75HL-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT100N75HL-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N08MG-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT100N08MG-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N07L-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 65V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT100N07L-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10NP06L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.064ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT10NP06L-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N08ML-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT100N08ML-K08-5060-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10N10G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB | UTT10N10G-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N75HG-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT100N75HG-K08-5060-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100N08ML-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT100N08ML-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT100P03L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT100P03L-TQ2-T |
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UTT100N75HL-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT100N75HL-K08-5060-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT10NP06G-TN4-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT10NP06G-TN4-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT105N08HG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 80V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT105N08HG-TA3-T |
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