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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT36N10L-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT36N10L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT36N10L-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10HG-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT36N10HG-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36P03L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT36P03L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT36N10L-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT36N10G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT36N10G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT36N10G-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT36N10L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT36N10L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UTT36N10G-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT36N10G-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT36N10G-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT36N10L-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10HL-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT36N10HL-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT36N10L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36P03G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT36P03G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N05L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT36N05L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N05G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT36N05G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N05G-AA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT36N05G-AA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT36N10G-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT36N10G-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10L-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UTT36N10L-TM3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT36N10G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT36N10G-TA3-T |
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