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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS3640DS
Vanguard
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1 | MOSFET 2 N Channel(Dual) 30V 9A 2.5V @ 250uA 29 mΩ @ 4A,4.5V SOP-8 RoHS | Small Outline Packages | VS3640DS |
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VS3645GE
VANGUARD
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1 | 30V/16A N-Channel Advanced Power MOSFET with RDS(on) of 13.5 mΩ at VGS=10V, ID of 22A silicon limited, available in PDFN3333 package, designed for fast switching and high efficiency applications. | VS3645GE |
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VS3645GA
VANGUARD
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1 | 30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET with 15 mΩ RDS(on) at VGS=10V, 23 mΩ at VGS=4.5V, housed in DFN2x2x0.75-6L package, suitable for high-efficiency power management applications. | VS3645GA |
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VS3640AE
VANGUARD
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1 | 30V/25A N-Channel Advanced Power MOSFET with RDS(on) of 13.5 mΩ at VGS=10V, available in PDFN3333 package, suitable for high-efficiency switching applications. | VS3640AE |
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VS3646ACM
VANGUARD
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1 | 30V/5A N-Channel Advanced Power MOSFET in SOT23 package with RDS(on) of 20 mΩ at VGS=10V, 32 mΩ at VGS=4.5V, and maximum power dissipation of 1W at 25°C. | VS3646ACM |
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VS3640DE
VANGUARD
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1 | 30V/24A dual N-channel advanced power MOSFET in PDFN3333 package with RDS(on) of 15 mΩ at VGS=10V, 24 mΩ at VGS=4.5V, suitable for 5V logic level control and high-efficiency switching applications. | VS3640DE |
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VS3640DP3
VANGUARD
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1 | 30V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET with 14 mΩ typical RDS(on) at VGS=10V, 22 mΩ at VGS=4.5V, designed for 5V logic level control and fast switching applications in a PDFN5x6 package. | VS3640DP3 |
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VS3640AD
VANGUARD
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1 | 30V/28A N-Channel Advanced Power MOSFET with low on-resistance of 16 mΩ at VGS=10V, 24 mΩ at VGS=4.5V, suitable for 5V logic level control, featuring fast switching and avalanche ruggedness in a TO-252 package. | VS3640AD |
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VS3640AC
VANGUARD
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1 | 30V/6A N-Channel Advanced Power MOSFET with low on-resistance of 19 mΩ at VGS=10V, 27 mΩ at VGS=4.5V, suitable for 5V logic level control and fast switching applications in SOT23 package. | VS3640AC |
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VS3640AA
VANGUARD
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1 | 30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET with 14 mΩ RDS(on) at VGS=10V, available in DFN2x2x0.75-6L package, featuring high efficiency, fast switching, and RoHS compliance. | VS3640AA |
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VS3640DB
VANGUARD
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1 | 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET in DFN3x3 package with 14 mOhm typical RDS(on) at VGS=10V, 25 A continuous drain current, low gate charge, and RoHS compliant. | VS3640DB |
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VS3640BC
VANGUARD
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1 | 30V/5A N-Channel Advanced Power MOSFET in SOT23 package with 29 mΩ typical RDS(on) at VGS=4.5V, 2.5V logic level compatible, low on-resistance, fast switching, and Pb-free RoHS compliant design. | VS3640BC |
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VS3640DS
VANGUARD
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1 | 30V/9A dual N-channel advanced power MOSFET in SOP8 package with 16 mΩ typical RDS(on) at VGS=10V, suitable for 5V logic level control and high-efficiency switching applications. | VS3640DS |
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VS3645DE-G
VANGUARD
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1 | 30V/12A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET with 14 mΩ RDS(on) at VGS=10V, 22 mΩ at VGS=4.5V, 290 pF Ciss, and 7.2 nC Qg(10V), in a PDFN3333 dual package. | VS3645DE-G |
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VS3647DB
VANGUARD
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1 | 30V dual asymmetric N-channel advanced power MOSFET in DFN3x3 package featuring VitoMOS II technology, with RDS(on) of 8.2 mΩ and 4.9 mΩ at VGS = 10V for Q1 and Q2 channels respectively, and 100% avalanche tested. | VS3647DB |
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VS3646ACL
VANGUARD
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1 | 30V/4.6A N-Channel Advanced Power MOSFET in SOT23 package with RDS(on) of 22 mΩ at VGS=4.5V, featuring high power and current handling capability for efficient switching applications. | VS3646ACL |
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VS3640DP
VANGUARD
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1 | 30V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET with 14 mΩ typical RDS(on) at VGS=10V, 22 mΩ at VGS=4.5V, designed for 5V logic level control and high-efficiency power switching applications. | VS3640DP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS3640AS
VANGUARD
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1 | 30V/11A N-Channel Advanced Power MOSFET in SOP8 package with RDS(on) of 14 mΩ at VGS=10V and 22 mΩ at VGS=4.5V, suitable for 5V logic level control and high-efficiency power management applications. | VS3640AS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS3640AT
VANGUARD
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1 | 30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET with 15 mΩ typical RDS(on) at VGS=10V, TO-220AB package, designed for high efficiency and fast switching applications. | VS3640AT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PVS36.49KOHM0.1%
Precision Resistor Co Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 0.225W, 6490ohm, 0.1% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 5025, | PVS36.49KOHM0.1% |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LVS364.9OHM0.005%
Precision Resistor Co Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 64.9ohm, 0.005% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 5025, | LVS364.9OHM0.005% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PVS36.49KOHM0.25%
Precision Resistor Co Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 0.225W, 6490ohm, 0.25% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 5025, | PVS36.49KOHM0.25% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LVS36.42OHM0.1%
Precision Resistor Co Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 6.42ohm, 0.1% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 5025, | LVS36.42OHM0.1% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PVS364.2KOHM0.5%
Precision Resistor Co Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 0.225W, 64200ohm, 0.5% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 5025, | PVS364.2KOHM0.5% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LVS3-6.42OHMS-1%
Precision Resistor Co Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 6.42ohm, 1% +/-Tol, 5025 | LVS3-6.42OHMS-1% |
0
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