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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VTN3R3T50
Cornell Dubilier Electronics Inc
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum (wet), 50V, 50% +Tol, 10% -Tol, 3.3uF, Through Hole Mount | VTN3R3T50 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VTN3R3T160
Cornell Dubilier Electronics Inc
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum (wet), 160V, 50% +Tol, 10% -Tol, 3.3uF, Through Hole Mount | VTN3R3T160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VTN3R3T100
Cornell Dubilier Electronics Inc
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum (wet), 100V, 50% +Tol, 10% -Tol, 3.3uF, Through Hole Mount | VTN3R3T100 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65L-V-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 08NM65L-V-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65G-V-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 08NM65G-V-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N40L-V-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2N40L-V-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05NM65G-V-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 05NM65G-V-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05NM65L-V-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 05NM65L-V-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N40G-V-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2N40G-V-TN3-R |
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