Showing 25 of 33 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
W-IXTD20N60
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD20N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD10N100
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD10N100 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD15N60
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD15N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD01N80
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 80ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD01N80 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD13N80
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD13N80 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD12N90-L
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD12N90-L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD5N100
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD5N100 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD50N20
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD50N20 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD6N80
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD6N80 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD8P50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD8P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD6N90
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 900V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD6N90 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD15N70
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD15N70 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD7P50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD7P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD67N10
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD67N10 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD10P50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD10P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD14N100
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 0.82ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD14N100 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD35N30
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD35N30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD40N30
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD40N30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD5N100A
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD5N100A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD75N10
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD75N10 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD30N50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD30N50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD20N55
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 550V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD20N55 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD21N50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD21N50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD11P50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD11P50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W-IXTD58N50
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD58N50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||