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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC010H12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 107A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC010H12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC020B12B1P-B
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC020B12B1P-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC005H12B2S-D6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC005H12B2S-D6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC006H12B2S6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC006H12B2S6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC008H12B2P
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 157A I(D), 1200V, 0.013ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC008H12B2P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC020F12B1P-B
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 1200V, 0.029ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC020F12B1P-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040H12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC040H12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040B12B1P-D6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC040B12B1P-D6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC030B12B1P-F6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC030B12B1P-F6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC030H12B1P
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC030H12B1P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC016H12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC016H12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC016F12B2P
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC016F12B2P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC016F12B2P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC016F12B2P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC004H12B2P-D
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC004H12B2P-D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040F12B1P-B
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC040F12B1P-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC030B12B1P-C6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC030B12B1P-C6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC011F12B2P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC011F12B2P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC020H12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC020H12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC030F12B1P-B
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC030F12B1P-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC020B12B1P-C6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC020B12B1P-C6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC008H12B2S
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC008H12B2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC004H12B2S
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 227A I(D), 1200V, 0.006ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC004H12B2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040S12B1P
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 1200V, 0.045ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC040S12B1P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040F12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC040F12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC006H12B2S
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC006H12B2S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||