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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R600
WeEn Semiconductors
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1 | Superior FOM RDS(on) * Qg• Extremely low switching loss• 100% avalanche tested | Transistor Outline, Vertical | WSJM65R600 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R170WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 650V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | WSJM65R170WQ |
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WSJM65R099DBJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263 | WSJM65R099DBJ |
0
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WSJM65R260Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R260Q |
0
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WSJM65R360XQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R360XQ |
0
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WSJM65R099DWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | WSJM65R099DWQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R099DTLJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | WSJM65R099DTLJ |
0
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WSJM65R120TLJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | WSJM65R120TLJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R260XQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R260XQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R260
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R120TL
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | WSJM65R120TL |
0
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WSJM65R120W
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | WSJM65R120W |
0
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WSJM65R360Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R360Q |
0
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WSJM65R260BJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 650V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263AB | WSJM65R260BJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R044W
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 650V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | WSJM65R044W |
0
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WSJM65R099DX
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R099DX |
0
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WSJM65R170
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 650V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R170 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R170B
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 650V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263AB | WSJM65R170B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R170TLJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WSJM65R170TLJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R360X
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R360X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R044WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 650V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | WSJM65R044WQ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R099DXQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R099DXQ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSJM65R360BJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263AB | WSJM65R360BJ |
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WSJM65R170YQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WSJM65R170YQ |
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WSJM65R099DQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R099DQ |
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