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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XGD10603MR
LITTELFUSE
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1 | ESD Suppressors / TVS Diodes 0603 32VDC .09pF | Diodes Chip Non-polarised | XGD10603MR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XGD10402KR
LITTELFUSE
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1 | ESD Suppressors / TVS Diodes 0402 32VDC .04pF | Diodes Chip Non-polarised | XGD10402KR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AXGD10603NR
LITTELFUSE
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1 | ESD Suppressors / TVS Diodes 0603 32VDC .09pF AEC-Q200 QUAL | Fuses Chip | AXGD10603NR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GA342A1XGD100JW31L
Murata Electronics
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1 | 0 pF ±5% 250VAC Ceramic Capacitor SL 1808 (4520 Metric | Capacitor Chip Non-polarised | GA342A1XGD100JW31L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AXGD10402KR
LITTELFUSE
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1 | LITTELFUSE - AXGD10402KR - DIODE, ESD PROTECTION, AEC-Q200, 0402 | Diodes Moulded Non Polarised | AXGD10402KR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XGD10603NR
LITTELFUSE
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1 | ESD Suppressors / TVS Diodes 0603 32VDC .09pF | XGD10603NR |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXGD10N60A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | C-IXGD10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXGD10N100A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel | C-IXGD10N100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXGD10N100
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel | T-IXGD10N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGD10N60
Silicon Transistor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE | IXGD10N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGD10N100
Silicon Transistor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE | IXGD10N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXGD10N100
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel | W-IXGD10N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXGD10N100A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel | T-IXGD10N100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXGD10N60A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | W-IXGD10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXGD10N60
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | W-IXGD10N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXGD10N100
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel | C-IXGD10N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXGD10N60
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | C-IXGD10N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GA342D1XGD100JY02L
Murata Manufacturing Co Ltd
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1 | CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, SL, 0.00001uF, SURFACE MOUNT, 1808, CHIP, ROHS COMPLIANT | GA342D1XGD100JY02L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXGD10N100A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel | W-IXGD10N100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXGD10N60A
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | T-IXGD10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGD10N60A
Silicon Transistor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE | IXGD10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GA342D1XGD100JY02K
Murata Manufacturing Co Ltd
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 5% +Tol, 5% -Tol, SL, -1000/+350ppm/Cel TC, 0.00001uF, Surface Mount, 1808, CHIP | GA342D1XGD100JY02K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXGD10N60
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | T-IXGD10N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AXGD10603MR
LITTELFUSE
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, | AXGD10603MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGD10N100A
Silicon Transistor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-257 | IXGD10N100A |
0
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Build or Request |