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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R106NC,L1XHQ
Toshiba
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1 | MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS�-H) | Other | XPH2R106NC,L1XHQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R608QB
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 80 V, 120 A, 0.00255 Ω@10V, SOP Advance(WF) | Other | XPH2R608QB |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R404PS,L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | XPH2R404PS,L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R106NC,L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | XPH2R106NC,L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R404PS,L1XHQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | XPH2R404PS,L1XHQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R106NC,L1Q(O
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | XPH2R106NC,L1Q(O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R404PB
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 40 V, 90 A, 0.0024 Ω@10V, SOP Advance(WF) | XPH2R404PB |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R106NC
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 60 V, 110 A, 0.0021 Ω@10V, SOP Advance(WF) | XPH2R106NC |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R404PS
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 40 V, 90 A, 0.0024 Ω@10V, SOP Advance(WF) | XPH2R404PS |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R106NC
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | XPH2R106NC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XPH2R404PS
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | N-ch MOSFET, 40 V, 90 A, 0.0024 Ω@10V, SOP Advance(WF) | XPH2R404PS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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