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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZPUL-30P
Mini-Circuits
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1 | Wide Band Medium Power Amplifier, 0.0025MHz Min, 700MHz Max | ZPUL-30P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZPUL-21
Mini-Circuits
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1 | Wide Band Medium Power Amplifier, 0.0025MHz Min, 700MHz Max | ZPUL-21 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZPUL-30P+
Mini-Circuits
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1 | Wide Band Medium Power Amplifier, 0.0025MHz Min, 700MHz Max, 1 Func | ZPUL-30P+ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZPUL-21+
Mini-Circuits
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1 | Wide Band Medium Power Amplifier, 0.0025MHz Min, 700MHz Max | ZPUL-21+ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32F226ZPULNNE
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 10V, 80% +Tol, 20% -Tol, Y5V, -82/+22% TC, 22uF, Surface Mount, 1210 | CL32F226ZPULNNE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3SK297ZP-UL
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 3SK297ZP-UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32F226ZPULNNB
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 10V, 80% +Tol, 20% -Tol, Y5V, 22/-82% TC, 22uF, Surface Mount, 1210 | CL32F226ZPULNNB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3SK298ZP-UL
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 3SK298ZP-UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32F226ZPULNNF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 10V, 80% +Tol, 20% -Tol, Y5V, -82/+22% TC, 22uF, Surface Mount, 1210 | CL32F226ZPULNNF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3SK297ZP-UL
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 3SK297ZP-UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3SK298ZP-UL
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 3SK298ZP-UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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