10-R1 Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HR10G-10R-10SB
Hirose
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1 | 10 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder | Other | HR10G-10R-10SB |
3
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RCL122510R1%100PPM/KE3
Vishay
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0 | RESISTOR, 1225 10 Ohms ±1% 2 W | Other | RCL122510R1%100PPM/KE3 |
2
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RCL061210R1%100PPM/KE3
Vishay
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0 | RESISTOR, 0612 10 Ohm ± 1 % .5W | Other | RCL061210R1%100PPM/KE3 |
2
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RR0510R-100-D
Susumu
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1 | RESISTOR, 0402 10 Ohm ±0.5% 0.0625W | Other | RR0510R-100-D |
3
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MDSM-10R-10-25
LITTELFUSE
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1 | Glass Body Reed Switch SPST-NO 10 ~ 25AT Operate Range 10W 350mA (AC), 500mA (DC) 140 V Surface Mount | Other | MDSM-10R-10-25 |
3
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HR10A-10R-12PB(71)
Hirose
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1 | Circular Push Pull Connectors 12P RECP SHELL SZ 10 MALE SIL TRM PCB DIP | Other | HR10A-10R-12PB(71) |
3
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S1210R-103K
API Delevan
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1 | API Type 1210 Shielded Wire-wound SMD Inductor with a Ferrite Core, 10 µH ±10% Wire-Wound 291mA Idc Q:40 | Inductor Moulded | S1210R-103K |
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1210R-100K
API Delevan
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1 | API Type 1210 Wire-wound SMD Inductor with a Phenolic Core, 10 nH ±10% Wire-Wound 966mA Idc Q:30 | Inductors Precision Moulded | 1210R-100K |
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TPCR226K010R1500
Kyocera AVX
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1 | 22 µF Molded Tantalum Capacitors 10 V 0805 (2012 Metric) 1.5Ohm @ 100kHz | Capacitor Chip Polarised | TPCR226K010R1500 |
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L1210R100KDWIT
Yageo Group
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1 | KEMET, L-DWI, Power, 10 uH, 10%, 105°C, -40°C, 900 mA, 133 mOhms, 23 MHz, 1000, 3.2mm, 3.4mm, 2.5mm, 0.0027, 2.5mm, 2.7mm | Inductors Chip | L1210R100KDWIT |
3
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1210R-103J
API Delevan
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1 | API Type 1210 Wire-wound SMD Inductor with a Ferrite Core, 10 µH ±5% Wire-Wound 297mA Idc Q:30 | Inductors Precision Moulded | 1210R-103J |
3
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FP10R12W1T7B3BOMA1
Infineon
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1 | IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 10 A 20 mW Chassis Mount AG-EASY1B-2 | Other | FP10R12W1T7B3BOMA1 |
2
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TPSA106M010R1800
Kyocera AVX
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1 | AVX 10μF Solid Electrolytic Electrolytic Capacitor, 10 V dc ±20%, TPS Series | Other | TPSA106M010R1800 |
3
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L1210R100MDWIT
Yageo Group
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1 | KEMET, L-DWI, Power, 10 uH, 20%, 105°C, -40°C, 900 mA, 133 mOhms, 23 MHz, 1000, 3.2mm, 3.4mm, 2.5mm, 0.0027, 2.5mm, 2.7mm | Inductors Chip | L1210R100MDWIT |
3
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PDTC114TE
NXP
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1 | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open | SOT23 (3-Pin) | PDTC114TE |
3
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PDTC114EM-QYL
Nexperia
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1 | 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ | Other | PDTC114EM-QYL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRMB11-QZ
Nexperia
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1 | 50 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 10 k, R2 = 10 k | Other | PRMB11-QZ |
3
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PUMH11
NXP
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1 | NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 10 k | Other | PUMH11 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTC114ET,215
Nexperia
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1 | PDTC114E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = 10 kOhm | SOT23 (3-Pin) | PDTC114ET,215 |
3
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PEMH4
NXP
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1 | NPN resistor-equipped double transistor R1 = 10 kΩ, R2 = open, −65 +150 °C | Other | PEMH4 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTC114ET/YAR
Nexperia
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1 | PDTC114E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = 10 kOhm | SOT23 (3-Pin) | PDTC114ET/YAR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTD143XT-QR
Nexperia
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1 | 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k?, R2 = 10 k? | SOT23 (3-Pin) | PDTD143XT-QR |
3
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PDTA113ZM-QYL
Nexperia
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1 | 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ | Other | PDTA113ZM-QYL |
3
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PDTC144VT,215
Nexperia
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1 | PDTC144V series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = 10 kOhm | SOT23 (3-Pin) | PDTC144VT,215 |
3
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PDTA143XT-QVL
Nexperia
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1 | 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ | SOT23 (3-Pin) | PDTA143XT-QVL |
3
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