Showing 25 of 867810 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R1QEA4436RBG-19IB0
Renesas Electronics
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1 | The R1QEA4436RBG is a 4, 194, 304-word by 36-bit and the R1QEA4418RBG is a 8, 388, 608-word by 18-bit synchronous double data rate static RAM fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell. It integrates unique synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers are controlled by an input clock pair (K and /K) and are latched on the positive edge of K and /K. These products are suitable for applications which require synchronous operation, High-Spee | BGA | R1QEA4436RBG-19IB0 |
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71V67903S75PFGI
Renesas Electronics
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1 | The 71V67903 3.3V CMOS SRAM is organized as 512K x 18. The 71V67903 SRAM contains write, data, address and control registers. There are no registers in the data output path (flow-through architecture). The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | Quad Flat Packages | 71V67903S75PFGI |
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7008L35G
Renesas Electronics
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1 | The 7008 is a high-speed 64K x 8 Dual-Port Static RAM designed to be used as a stand-alone 512K-bit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 16-bit-or-more word systems. An automatic power down feature controlled by CE permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. | Other | 7008L35G |
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R1LV1616HSA-5SI#B1
Renesas Electronics
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1 | The R1LV1616HSA-I Series is 16-Mbit static RAM organized 1-Mword × 16-bit / 2-Mword × 8-bit with embedded ECC. R1LV1616HSA-I Series has realized higher density, higher performance and low power consumption by employing CMOS process technology (6-transistor memory cell). It offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery backup systems. It is packaged in 48-pin plastic TSOPI for high density surface mounting. | Small Outline Packages | R1LV1616HSA-5SI#B1 |
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71V3577S85BQ8
Renesas Electronics
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1 | The 71V3577 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. The 71V3577 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V3577S85BQ8 |
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HM628512CLRR-7
HITACHI
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1 | 400-mil 32-pin plastic TSOP II reverse (TTP-32DR) | Small Outline Packages | HM628512CLRR-7 |
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AS6C2008A-55SIN
Alliance Memory
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1 | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM | Small Outline Packages | AS6C2008A-55SIN |
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IS61LV256AL-10TLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 256K 32Kx8 10ns Async SRAM 3.3v | Other | IS61LV256AL-10TLI |
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IS61LPS409618B-250TQLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | 72 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM | Quad Flat Packages | IS61LPS409618B-250TQLI |
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CY14B108L-ZS45XI
Infineon
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1 | NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM | Small Outline Packages | CY14B108L-ZS45XI |
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IDT71V65803S133BQI
Renesas Electronics
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1 | IDT SRAM Memory, IDT71V65803S133BQI | BGA | IDT71V65803S133BQI |
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IDT71024S12TYG8
Renesas Electronics
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1 | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 12ns 32-SOJ | Other | IDT71024S12TYG8 |
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3DSR16M16VS4502-IB-A12
3D Plus
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1 | Memory module, SRam 1Mx16-SOP, 16Mbit, 256Kx16 organized SOP 54 +3.3v 12mA -55°C to +125°C | Other | 3DSR16M16VS4502-IB-A12 |
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CY62136EV30LL-45BVXI
Infineon
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1 | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mbit Parallel 45 ns 48-VFBGA (6x8) ,2.2V ~ 3.6V ,-40°C ~ 85°C ,48-VFBGA | BGA | CY62136EV30LL-45BVXI |
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GS816136DD-250I
GSI TECHNOLOGY
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1 | SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M | BGA | GS816136DD-250I |
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IS61WV25632BLL-10BLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM | BGA | IS61WV25632BLL-10BLI |
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IS66WVS2M8BLL-104NLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 16Mb, SerialRAM, 27V-36V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS | Small Outline Packages | IS66WVS2M8BLL-104NLI |
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AS7C34098A-15TCN
Alliance Memory
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1 | SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tray | Small Outline Packages | AS7C34098A-15TCN |
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CY7C4122KV13-933FCXI
Infineon
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1 | SRAM Chip Sync Single 1.3V 144M-bit 8M x 18 361-Pin FCBGA Tray | BGA | CY7C4122KV13-933FCXI |
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AS6C4008-55TIN
Alliance Memory
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1 | Alliance Memory AS6C4008-55TIN SRAM Memory, 4Mbit, 2.7 → 5.5 V, 55ns 32-Pin TSOP | Small Outline Packages | AS6C4008-55TIN |
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CY62148EV30LL-45ZSXIT
Infineon
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1 | SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM | Small Outline Packages | CY62148EV30LL-45ZSXIT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AS6C4016-55ZIN
Alliance Memory
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1 | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 256K x 16 Asyn SRAM | Small Outline Packages | AS6C4016-55ZIN |
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R1RP0416DSB-2PI#S0
Renesas Electronics
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1 | Asynchonous Fast SRAM | Small Outline Packages | R1RP0416DSB-2PI#S0 |
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IS61LPS12836A-200TQLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4.5Mbit Parallel 200 MHz 3.1 ns 100-LQFP (14x20) | Quad Flat Packages | IS61LPS12836A-200TQLI |
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IS61WV25616FBLL-10TLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS | Small Outline Packages | IS61WV25616FBLL-10TLI |
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