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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VSMF2890GX01
Vishay
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1 | Vishay VSMF2890GX01, 910nm High Speed Infrared Emitting Diode, SMD Little Star SMD package | Small Outline Diode | VSMF2890GX01 |
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SFH4713A
ams OSRAM
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1 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS - SFH4713A - INFRARED EMITTER, 860 NM, SMD | Other | SFH4713A |
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K857PH-GS15
Vishay
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1 | Silicon PIN Photodiode, Ira (μA) 10, ϕ(°) ±60, Dimensions 4.72 x 4.72 x 0.75, AEC-Q101 | Other | K857PH-GS15 |
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MICROFJ-60035-TSV-TR1
onsemi
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1 | High-density microcells; Optimized for high-performance timing applications, such as ToF-PET; Ultra-low dark count rates of 50 kHz/mm2 typical; J-Series sensors feature ON Semiconductor's unique 'fast output' terminal; Exceptional breakdown voltage uniformity of ±250 mV; Temperature stability of 21.5 mV/°C; 3 mm, 4 mm and 6 mm sensor sizes; Available in a reflow solder compatible TSV chip-scale package; Bias voltage of <30 V | Other | MICROFJ-60035-TSV-TR1 |
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1540801EEA300
Würth Elektronik
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1 | WL-SDCB SMT Photodiode Chip Black SMT 0805 PD 940 nm 700-1100nm 1,0uA 130° | Other | 1540801EEA300 |
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MICROFJ-30035-TSV-TR
onsemi
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1 | High-density microcells; Optimized for high-performance timing applications, such as ToF-PET; Ultra-low dark count rates of 50 kHz/mm2 typical; J-Series sensors feature ON Semiconductor's unique 'fast output' terminal; Exceptional breakdown voltage uniformity of ±250 mV; Temperature stability of 21.5 mV/°C; 3 mm, 4 mm and 6 mm sensor sizes; Available in a reflow solder compatible TSV chip-scale package; Bias voltage of <30 V | Other | MICROFJ-30035-TSV-TR |
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QSB34CGR
onsemi
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1 | Sensitive Area - 2.55 mm x 2.55 mm; Surface Mount Packages: – QSB34GR / QSB34CGR for overmount board – QSB34ZR / QSB34CZR for undermount board; Large Chip Size = 3 mm x 3 mm; Low Capacitance; Daylight Filter (QSB34GR and QSB34ZR only); Wide Reception Angle, 120°; High Sensitivity; Fast PIN Photodiode | Small Outline Diode | QSB34CGR |
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TSOP75338WTT
Vishay
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1 | Remote Receiver Sensor 38.0kHz 30m Surface Mount | Other | TSOP75338WTT |
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TSOP38138
Vishay
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1 | Remote Receiver Sensor 38.0kHz 24m Through Hole | Other | TSOP38138 |
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MLX75305KXD-AAA-000-RE
Melexis
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1 | MLX75305 Light-to-Voltage SensorEyeC | Small Outline Packages | MLX75305KXD-AAA-000-RE |
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LX1970IDU
Microsemi Corporation
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1 | Optical Sensor Ambient 520nm Current 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Small Outline Packages | LX1970IDU |
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TSOP75338TR
Vishay
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1 | Vishay TSOP75338TR, 38kHz IR Receiver, 950nm ±50 °, 45m Range, 2.5V - 5V, SMT, 6.8 x 3 x 3.2mm | Other | TSOP75338TR |
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S10604-200CT
Hamamatsu
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1 | Ta=25 ℃, Photocurrent: 2856 K, 100 lx, -0.5 to +12 V, -30 to +80 deg.C. | Other | S10604-200CT |
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TSOP37438TT1
Vishay
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1 | Infrared Receivers IR sensor IC 38kHz | Other | TSOP37438TT1 |
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S4282-51
Hamamatsu
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1 | HAMAMATSU - S4282-51 - Light Modulation Photo IC, 4.5 to 16 V, -25°C to 60°C, SMD | Other | S4282-51 |
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TSOP38440
Vishay
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1 | Remote Receiver Sensor 40.0kHz 45m Through Hole | Other | TSOP38440 |
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QSE113
onsemi
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1 | Medium wide reception angle, 50< °; Package material and color: black epoxy; NPN silicon phototransistor; Daylight filter; High sensitivity; Package type: sidelooker; Matched emitter: QEE113 | Transistor Outline, Vertical | QSE113 |
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QSB363GR
onsemi
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1 | Tape & Reel option (See tape & Reel specifications); Medium wide beam angle 24°; Lead form options: Gullwing, Yoke, Z-Bend; Matched emitters: QEB363 or QEB373; T-3/4 (2 mm) surface mount package; Daylight filter; Black plastic package; NPN silicon phototransistor | Small Outline Diode | QSB363GR |
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S12742-254
Hamamatsu
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1 | Photodiode With Interference Filter For Monochromatic Light (254 Nm) Detection | Other | S12742-254 |
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MTPD2601T8-150
Marktech Optoelectronics
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1 | Photodiodes 2600nm InGaAs PIN PD TO-39 Metal Can 1.5 AA Flat Lens | Other | MTPD2601T8-150 |
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NJL6401R-3-TE1
Nisshinbo
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1 | Photodiode 800nm 2ns 2-SMD, No Lead | Other | NJL6401R-3-TE1 |
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FDS100
Thorlabs
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1 | FDS100 - Si Photodiode, 10 ns Rise Time, 350 - 1100 nm, 3.6 mm x 3.6 mm Active Area | Other | FDS100 |
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S2386-8K
Hamamatsu
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1 | Hamamatsu S2386-8K Full Spectrum Si Photodiode, Through Hole TO-8 | Other | S2386-8K |
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PC10-6B-BG39-TO5
First Sensor
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1 | Photodiodes 50V, 10mA, 10 mm2 Ultra Blue series | Other | PC10-6B-BG39-TO5 |
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EAPDLP03RDAA0
Everlight
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1 | SENSOR PHOTODIODE 940NM RADIAL | Other | EAPDLP03RDAA0 |
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