Showing 25 of 1318 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ120BG
Microsemi Corporation
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1 | Diodes - General Purpose, Power, Switching FG, FRED, 1200V, 40A, TO-247, RoHS | Transistor Outline, Vertical | APT40DQ120BG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B2DQ2
Advanced Power Technology
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1 | POWER MOS 7® IGBT PT 1200 V 113 A 625 W Through Hole -55 to 150°C | Other | APT45GP120B2DQ2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT42F50B
Microsemi Corporation
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1 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 625W; TO247 | Transistor Outline, Vertical | APT42F50B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ60BG
Microsemi Corporation
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1 | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | Transistor Outline, Vertical | APT40DQ60BG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GR120B
Microsemi Corporation
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1 | IGBT NPT 1200 V 88 A 500 W Through Hole TO-247-3 | Transistor Outline, Vertical | APT40GR120B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4,5/2/15
Block USA Inc.
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1 | Power Transformer, 4.5VA | APT4,5/2/15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4,5/2/12
Block USA Inc.
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1 | Power Transformer, 4.5VA | APT4,5/2/12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4,5/2/18
Block USA Inc.
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1 | Power Transformer, 4.5VA | APT4,5/2/18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4,5/2/9
Block USA Inc.
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1 | Power Transformer | APT4,5/2/9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M70B2VFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M70B2VFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STDAPT4.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4MHz Nom | FC4STDAPT4.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ60BCT
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247AD | APT40DQ60BCT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DC60HJ
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 40A, 600V V(RRM), Silicon Carbide | APT40DC60HJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GL100BN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT45GL100BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DS10HJ
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 40A, 100V V(RRM), Silicon | APT40DS10HJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GP60B2DQ2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT40GP60B2DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4065BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,11A I(D),TO-247AD | APT4065BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A150JAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.000015uF, Surface Mount, 1206 | 1206A150JAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4025DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT4025DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A180KAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 1.8e-05uF, Surface Mount, 1206 | 1206A180KAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT40GP90JDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT43GA90S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT43GA90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A5R6JAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000056uF, Surface Mount, 1206 | 1206A5R6JAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C561KAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00056uF, Surface Mount, 0805 | 0805C561KAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M70LVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT40M70LVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||